美光宣告在美出资增至和 HBM 亿美元， 封装设备加建晶圆厂

　　6 月 13 日音讯，美光美出美元美光当地时间昨日宣告将在美国的宣告出资从此前宣告的 1250 亿美元扩展至 2000 亿美元(IT之家注 ：现汇率约合 1.44 万亿元人民币)，包含额定 250 亿美元的资增至亿装设内存制作出资和独自 500 亿美元的研制出资。

　　美光此前已发动坐落其总部爱达荷州博伊西的加建晶圆 1 座 DRAM 内存晶圆厂建造 ，并方案在纽约州克莱再建造 4 座大型内存晶圆厂。厂和

　　此次的美光美出美元新公告则方案在博伊西加建一座晶圆厂、建造 HBM 封装设备 、宣告对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化
。资增至亿装设

　　马纳萨斯晶圆厂将制作已相对老练的加建晶圆 1-alpha (1a nm) DRAM，保证美国多个要害范畴的厂和内存供给。美国商务部已敲定对该项意图 2.75 亿美元《CHIPS》法案补助，美光美出美元这意味着美光所获直接资金支撑总额上升至 64 亿美元 。宣告

　　美光在博伊西新建的资增至亿装设榜首座晶圆厂方案于 2027 年开端出产 DRAM
，克莱建造项目有望在本年晚些时候发动地上预备。加建晶圆该企业以为博伊西第二新晶圆厂将在克莱榜首晶圆厂前上线;而在博伊西两座新厂竣工后 HBM 封装项目也将发动。厂和

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